SK海力士AI内存新品亮相：12层HBM3E、321-high NAND

近日，SK 海力士宣布将参加 8 月 6 日至 8 日在美国加州圣克拉拉举行的全球半导体存储器峰会 FMS 2024，展示一系列创新产品。此次峰会被誉为“未来存储器和存储”，相较于以往仅针对 NAND 供应商的闪存峰会，今年的盛会将邀请 DRAM 和存储供应商等多方参与。

SK 海力士计划展出多款下一代存储器产品，其中包括业内最高的 321 层 NAND 闪存，该产品预计将在第三季度实现量产；此外，公司还将于会上展示 12 层 HBM3E（第三季度）、321-high NAND（预计明年上半年出货）等 AI 领域的创新成果。

SK 海力士 HBM 工艺集成主管 Unoh Kwon 和 SSD PMO 主管 Chunsung Kim 将发表主题演讲，阐述公司在 DRAM 和 NAND 产品方面的布局，以及为实现人工智能应用而专门设计的人工智能内存解决方案。

这次峰会将为业界提供了解 SK 海力士最新研发成果的机会，同时也展示了其在人工智能时代内存和存储解决方案的领导地位和未来展望。