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三星、SK海力士推移动内存堆叠封装技术量产,助力AI端侧发展

三星电子和SK海力士正加速推进移动DRAM堆叠封装技术的应用,旨在提高移动设备的内存带宽。为实现端侧AI的运行,这一技术显得尤为重要。尽管传统的移动DRAM芯片如LPDDR较小,不适合与HBM相同的TSV连接方案,且HBM制造工艺的高成本和低良率特性限制了其在高产能移动DRAM中的应用,但采用垂直布线扇出技术VFO(垂直连接)的可行性正在受到关注。

SK海力士表示,VFO技术将FOWLP(场效应晶体管无源极点)和DRAM堆叠两项技术相结合,通过垂直连接大幅缩短了电信号在多层DRAM间的传输路径,从而提高了能效。尽管采用该方案可能会增加1.4%的散热量,但封装厚度却可以减少27%,实现了更高的集成度。

据悉,三星计划于明年下半年实现LLW DRAM的量产;而SK海力士的相关产品则已进入量产准备阶段。预计VFO技术将成为继HBM之后的下一代AI内存热点。

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