三星、SK海力士推移动内存堆叠封装技术量产，助力AI端侧发展

三星电子和SK海力士正加速推进移动DRAM堆叠封装技术的应用，旨在提高移动设备的内存带宽。为实现端侧AI的运行，这一技术显得尤为重要。尽管传统的移动DRAM芯片如LPDDR较小，不适合与HBM相同的TSV连接方案，且HBM制造工艺的高成本和低良率特性限制了其在高产能移动DRAM中的应用，但采用垂直布线扇出技术VFO（垂直连接）的可行性正在受到关注。

SK海力士表示，VFO技术将FOWLP（场效应晶体管无源极点）和DRAM堆叠两项技术相结合，通过垂直连接大幅缩短了电信号在多层DRAM间的传输路径，从而提高了能效。尽管采用该方案可能会增加1.4%的散热量，但封装厚度却可以减少27%，实现了更高的集成度。

据悉，三星计划于明年下半年实现LLW DRAM的量产；而SK海力士的相关产品则已进入量产准备阶段。预计VFO技术将成为继HBM之后的下一代AI内存热点。