国产光刻机发展引发争议：目标ASML还是自给自足？

近年来，我国在半导体领域取得了一定的进步，但与国际先进水平相比仍存在一定差距。最近，工信部发布的《首台(套)重大技术装备推广应用指导目录(2024年版)》中，公开可见的与光刻机代际水平和性能等密切相关的光源193纳米，分辨率≤65nm，套刻≤8nm指标引发了业内的关注。同时，上海微电子公布了一项名为“极紫外辐射发生装置及光刻设备”的发明专利，被认为是实现8纳米及以下工艺芯片制造的重要一步。然而，事实真的如这些报道所描述的那样吗？

首先，我们需要明确的是，我国在光刻机领域与世界领先水平的差距仍然明显。虽然我国已经攻克了氟化氩光刻机，但其技术与ASML等国际一流企业的水平仍有15-20年的差距。因此，将我国的光刻机技术与ASML的类似机型进行对比并不公平。此外，报道中将我国的套刻≤8nm氟化氩光刻机与ASML的TWINSCAN NXT 1980Fi进行对比，也是有失偏颇的。因为两者在制造方法上存在质的不同，前者采用的是干式，后者采用的是浸润式。浸润式光刻技术在制造过程中的优势明显，如提高分辨率和制程的一致性。因此，将两者放在一起比较并不合适。

另外，我们必须看到，尽管报道中提到的国产套刻≤8nm氟化氩光刻机引起了业界的关注，但实际上，我国在光刻机领域的技术水平仍然很低端，主要停留在干式阶段。相比之下，日本的尼康NSR-S636E已经实现了浸润式光刻技术的国产化，并且达到了甚至在某些指标上超过了ASML的水平。

总之，我们应该理性看待我国在光刻机领域的现状，清楚地认识到我们与世界一流企业的差距。同时，我们也应该更多地学习日本在光刻机领域的创新精神和企业精神，努力提高自身的技术水平。