英诺赛科氮化镓引关注，A股上市再攀高峰

12月30日，英诺赛科（苏州）科技股份有限公司（以下简称“英诺赛科”或“公司”，股票代码02577.HK）在香港联合交易所主板成功挂牌上市。此次全球发售4536.4万股H股，发行价为每股30.86港元，午盘前股价一度冲高至34港元。随着国内功率半导体产业链日趋完善，技术取得突破，氮化镓作为第三代半导体材料的代表，因其优异性能备受关注。

氮化镓具有高击穿电场、高热导率、高电子饱和速率以及强抗辐射能力等优势，与硅基器件相比，其传导电子效率可高出1000倍。新能源汽车、光伏、储能等产业的快速发展，对半导体转化效率和成本提出了更高要求，而氮化镓凭借其高效能和优越性能，成为国内外巨头争相关注的焦点。

作为氮化镓功率半导体领域的领军企业，英诺赛科的上市将进一步提升其在全球市场的地位。公司招股说明书显示，英诺赛科已获得全球半导体龙头企业和知名机构的青睐，营收复合年增长率近200%，预计未来四年行业市场规模将超过500亿元。此外，公司在氮化镓功率半导体产能、出货量及收入等方面均位居行业首位。

英诺赛科是全球首家实现量产8英寸硅基氮化镓晶圆，也是唯一具备产业规模提供全电压谱系硅基氮化镓半导体产品的公司。根据弗若斯特沙利文的报告，以2023年收入计算，英诺赛科在全球氮化镓功率半导体企业中排名第一。近年来，公司营业收入实现强劲增长，2021年至2024年上半年，公司营业收入分别为0.68亿、1.36亿、5.93亿和3.86亿元，其中海外市场收入持续增长。2021年至2023年，公司复合年增长率高达194.8%。

英诺赛科此次上市募资，约60%将用于扩大8英寸氮化镓晶圆产能，约20%用于研发及扩大产品组合，约10%用于扩大全球分销网络。公司表示，通过加大产能扩张、持续研发和技术迭代，将进一步扩大在全球氮化镓功率半导体市场的占有率。

在技术方面，英诺赛科凭借8英寸晶圆工艺技术和IDM模式，在氮化镓功率半导体领域建立了牢固的竞争优势。公司自2017年成立以来，持续推进技术创新，并在氮化镓产品及技术研发上投入约17.37亿元。同时，公司在苏州建立全球研发中心，拥有304名专业人才组成的强大研发团队，并在欧洲、北美及亚洲建立研发团队，专注于产品设计、研发及可靠性评估。

上市前，英诺赛科受到各方资本的青睐，包括宁德时代创始人曾毓群等知名投资者。此外，意法半导体、江苏国企混改基金、苏州高端装备产业专项母基金及东方创联等知名机构成为公司基石投资者。矽力杰股份有限公司也选择在上市前战略入股英诺赛科，拟以2000万美元购买公司0.5%的股权。

未来，英诺赛科将加快推动全球氮化镓生态发展，提升市场渗透率，并在氮化镓功率半导体市场持续保持领先地位。根据弗若斯特沙利文的预测，全球氮化镓功率半导体市场规模将由2024年的32.3亿元增长至2028年的501.4亿元，复合年增长率为98.5%。