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三星HBM三维封装技术 或成AI芯片新标准

三星电子计划推出SAINT-D技术 将HBM内存与处理器集成

近日,韩国媒体《韩国经济日报》报道称,三星电子将在年内推出一项名为SAINT-D的技术,该技术可以将HBM内存与处理器芯片进行3D集成。据悉,今年发布后,这项技术有望在明年应用于HBM4内存中。

SAINT-D是三星电子研发的一种3DIC先进封装技术,其主要目的是将逻辑裸片和DRAM内存裸片进行垂直集成。为实现这一目标,SAINT-D技术在处理器和HBM芯片之间建立了硅中介层。

据了解,当前HBM内存与处理器之间的连接方式为2.5D封装,这种方式存在一定的传输延迟,影响了电信号质量和数据移动功耗。而SAINT-D技术将二者之间的距离缩短,有助于提升AI加速器的性能。

对于三星电子来说,SAINT-D技术不仅可以提高其自身在先进封装市场的竞争力,还可以带动HBM和代工业务的发展。市场研究机构MGI预测,未来几年内,先进封装市场规模将从2023年的345亿美元增长至800亿美元。

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